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Passivation de GAAS Par D position Lf-Pecvd Du Nitrure de Silicium

Name: Passivation de GAAS Par D position Lf-Pecvd Du Nitrure de Silicium
Brand: Omniscriptum
SKU: 06975343
Price: 52.24 EUR
Availability: InStock
Author: Abdelatif Jaouad
ISBN: 9786131581618

Abdelatif Jaouad

Language

French

Book Paperback

Libristo code: 06975343

Publishers Omniscriptum, February 2018

Les performances de plusieurs dispositifs fabriqués sur des matériaux III-V sont lourdement affect... Full description

Libristo code: 06975343

127 b

52.24 €

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Les performances de plusieurs dispositifs fabriqués sur des matériaux III-V sont lourdement affectées par la grande densité des états de surface qui sont localisés au voisinage du milieu de la bande interdite (niveaux profonds). Ces états électroniques sont responsables du pinning du niveau de Fermi, et empęchent l'émergence d'une technologie MOS (Métal- Oxyde-Semiconducteur) viable ŕ ce jour sur ces matériaux. Les niveaux profonds limitent aussi les performances des dispositifs photoniques. Dans ce document, nous démontrons que la déposition du nitrure de silicium par LF-PECVD (Low frequency plasma enhanced vapor deposition), assure une passivation efficace du GaAs. Le modčle proposé pour expliquer le fort potentiel de cette technique, est basé sur le fait que les ions hydrogčne fournies par le silane et l'ammoniac peuvent suivre le signal RF et traverser la gaine du plasma et bombarder la surface de GaAs. Cette hydrogénation permet de désoxyder la surface de GaAs et réduit l'arsenic élémentaire, ce qui permet de lever le pinning du niveau de Fermi. Ce modčle a été validé par des analyses physico-chimiques.