Proizvod vam ne odgovara? Nema veze! Proizvode možete vratiti do 30 dana
S poklon bonom ne možete pogriješiti. Za poklon bon primatelj može odabrati bilo što iz naše ponude.
Do 30 dana za povrat
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c
Dobar dan! Ja sam Libroamiko, vaš književni savjetnik.
Kako vam mogu pomoći?